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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Lifetime Buy |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.3 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 0.03 pF |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DUAL GATE, DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 0.15 W | 最小功率增益 (Gp)： | 15 dB |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET RF Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3SK283TE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, FET RF Small Signal |
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| 3SK284 | TOSHIBA |
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N CHANNEL DUAL GATE MES TYPE (TV TUNER, UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 3SK284TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR UHF BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MESFET, FET RF Small Signal |
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| 3SK287 | PANASONIC |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, |
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| 3SK288 | ETC |
获取价格 |
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| 3SK290 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
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| 3SK290ZJ | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel |
|
| 3SK290ZJ-TL | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| 3SK290ZJ-TR | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 3SK290ZJ-UL | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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