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3SK292

更新时间: 2024-11-08 22:36:19
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东芝 - TOSHIBA 晶体射频放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管电视光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 204K
描述
N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV TUNER, VHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)

3SK292 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.32Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE外壳连接:SOURCE
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:12.5 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):0.03 A最大漏极电流 (ID):0.03 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):0.04 pF
最高频带:VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G4
元件数量:1端子数量:4
工作模式:DUAL GATE, DEPLETION MODE最高工作温度:125 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:0.15 W
最小功率增益 (Gp):23.5 dB认证状态:Not Qualified
子类别:FET RF Small Signal表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

3SK292 数据手册

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