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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> 3SK295ZQ-TL

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3SK295ZQ-TL

更新时间： 2024-02-19 22:52:00

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管栅放大器
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7页	89K
描述
UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MPAK-4

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3SK295ZQ-TL 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.27
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.025 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	0.03 pF	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	16 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

3SK295ZQ-TL 数据手册

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3SK295

Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

REJ03G0814-0300

(Previous ADE-208-387A)

Rev.3.00

Aug. 10, 2005

Application

•

UHF RF amplifier

Features

•

Low noise figure.

NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz

Capable of low voltage operation

•

Outline

RENESAS Package code: PLSP0004ZA-A

(Package name: MPAK-4)

2

1. Source

2. Gate1

3. Gate2

4. Drain

3

1

4

Note: Marking is “ZQ–”

Attention:

This device is very sensitive to electro static discharge.

It is recommended to adopt appropriate cautions when handling this transistor.

Rev.3.00, Aug 10.2005, page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
3SK295ZQ-TL-E	RENESAS	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET	获取价格
3SK295ZQ-UL	HITACHI	暂无描述	获取价格
3SK295ZQ-UR	RENESAS	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MPAK-4	获取价格
3SK296	RENESAS	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET	获取价格
3SK296	HITACHI	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET	获取价格
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