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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.26 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.025 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.04 pF | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 12 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 3SK298ZP-TL | HITACHI | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N- |
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| 3SK298ZP-TL | RENESAS | 暂无描述 |
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| 3SK298ZP-TL-E | RENESAS | Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET |
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| 3SK298ZP-TR | HITACHI | 暂无描述 |
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| 3SK298ZP-UL | RENESAS | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, CMPAK-4 |
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| 3SK299 | NEC | RF AMP. FOR UHF TV TUNER N-CHANNEL GaAs DUAL-GATE MES FIFLD-EFFECT TRANSISTOR 4 PIN SMALL |
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