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3SK273S

更新时间： 2024-11-09 14:46:31

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	163K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, MINI PACKAGE-4

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3SK273S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	13 V
最大漏极电流 (ID)：	0.05 A	FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	0.04 pF	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	13 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE	Base Number Matches：	1

3SK273S 数据手册

High Frequency FETs

3SK273

GaAs N-Channel MES FET

For VHF-UHF amplification

unit: mm

2.8–⁺0⁰.^.3²

1.5–⁺0⁰.^.3²

■ Features

0.65±0.15

● Low noise-figure (NF)

● Large power gain PG

0.5R

● Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic

insertion through the tape/magazine packing.

■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Drain to Source voltage

Gate 1 to Source voltage

Gate 2 to Source voltage

Drain current

Symbol

V_DS

V_G1S

V_G2S

I_D

Ratings

Unit

−6

0.4±0.2

−6

1: Source

2: Drain

3: Gate2

4: Gate1

°C

Gate 1 current

I_G1

Gate 2 current

I_G2

200

Mini Type Package (4-pin)

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

P_D

Marking Symbol (Example): ET

T_ch

150

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Drain to Source cut-off current

Gate 2 to Drain current

Gate 1 cut-off current

Gate 2 cut-off current

Drain cut-off current

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

I_DSS

V_DS= 5V, V_G1S= 0, V_G2S= 0

V_DD= −13V (G1, S = Open)

V_DS= V_G2S= 0, V_G1S= −6V

V_DS= V_G1S= 0, V_G2S= −6V

V_DS= 13V, V_G1S= −3.5V, V_G2S= 0

V_DS= 5V, V_G2S= 0, I_D= 200µA

V_DS= 5V, V_G1S= 0, I_D= 200µA

V_DS= 5V, I_D= 10mA, V_G2S= 1.5V, f = 1kHz

8.5

I_G2DO

I_G1SS

I_G2SS

I_DSX

−20

Gate 1 to Source cut-off voltage V_G1SC

Gate 2 to Source cut-off voltage V_G2SC

−3.5

Forward transfer admittance

| Y_fs|

0.4

0.3

0.02

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

V_DS= 5V, V_G1S= V_G2S= −6V

1.2

f = 1MHz

0.04

Power gain

G_R

V_DS= 5V, I_D= 10mA

Noise figure

Gain reduction

V_G2S= 1.5V, f = 800MHz

V_DS= 5V, V_AGC= 1.5V/−3.5V, f = 800MHz

1.8

2.8

^*I_DSSrank classification

Rank

I_DSS(mA)

8.5 to 17

ETP

15 to 21

ETQ

19 to 30

ETR

25 to 35

ETS

Marking Symbol

12 3

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