Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> 3SK253-UAG-A

3SK253-UAG-A

更新时间： 2024-11-06 13:04:35

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体射频放大器晶体管场效应晶体管栅
页数	文件大小	规格书
6页	55K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-4

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3SK253-UAG-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	其他特性：	LOW NOISE
配置：	SINGLE	最大漏极电流 (ID)：	0.025 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	0.03 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DUAL GATE, DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	15 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

3SK253-UAG-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

3SK253

RF AMPLIFIER FOR UHF TUNER

N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR

4 PINS MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

Low VDD Use

(VDS = 3.5 V)

(Unit: mm)

Driving Battery

+0.2

–0.3

2.8

Low Noise Figure : NF = 1.8 dB TYP. (f = 900 MHz)

High Power Gain : G^PS= 18.0 dB TYP. (f = 900 MHz)

Suitable for use as RF amplifier in UHF TV tuner.

Automatically Mounting : Embossed Type Taping

+0.2

–0.1

1.5

Package

4 Pins Mini Mold

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

Drain to Source Voltage

Gate1 to Source Voltage

Gate2 to Source Voltage

Gate1 to Drain Voltage

Gate2 to Drain Voltage

Drain Current

VDSX

VG1S

V^G2S

V^G1D

VG2D

I^D

±8^*1

5°

200^*2

°C

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

P^D

Tch

125

T^stg

–55 to +125

5°

PIN CONNECTIONS

*1: RL ≥ 10 kΩ

*2: Free air

1. Source

2. Drain

3. Gate2

4. Gate1

PRECAUTION:

Avoid high static voltages or electric fields so that this device would not suffer from any damage due to those voltage

fields.

Document No. P10583EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TD-2372)

Date Published August 1995 P

Printed in Japan

1993

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
3SK254	NEC	获取价格	RF AMPLIFIER FOR CATV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS SUPE
3SK254(NE93218)	ETC	获取价格	Discrete
3SK254-U1E	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK254-U1E-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK255	NEC	获取价格	RF AMPLIFIER FOR UHF TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS SUPER
3SK255(NE93318)	ETC	获取价格	Discrete
3SK255-U1G	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK255-U1G-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK256	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL DUAL GATE MOS TYPE (TV TUNER, UHF RF AMPLIFIER APPLICATIONS)
3SK256TE85R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, FET RF Small Signal

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