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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 3 pF |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK710V | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 16MA I(DSS) | SPAK |
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| 2SK710-VTPE4 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal |
|
| 2SK711 | TOSHIBA |
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N CHANNEL JUNCTION TYPE (HIGH, AM HIGH, AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK711_07 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel Junction Type High Frequency Amplifier Applications |
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| 2SK711BL | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 10MA I(DSS) | SC-59 |
|
| 2SK711-BL | TOSHIBA |
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High Frequency Amplifier Applications AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequ |
|
| 2SK711BLTE85L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET General Purpose Small Signal |
|
| 2SK711BLTE85R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET General Purpose Small Signal |
|
| 2SK711GR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6MA I(DSS) | SC-59 |
|
| 2SK711-GR | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
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