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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.81 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.67 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 570 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 195 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK725 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK725A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 550V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-247 |
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| 2SK726 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-247 |
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| 2SK727 | FUJI |
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N-Channel Silicon Power MOS-FET |
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| 2SK727-01 | FUJI |
获取价格 |
N-Channel Silicon Power MOS-FET |
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| 2SK735 | NEC |
获取价格 |
FAST SWITCHING N-CHANNEL SILICON POWER MOS FET |
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| 2SK736 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR |
|
| 2SK737 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | SOT-186 |
|
| 2SK738 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-251 |
|
| 2SK738Z | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252 |
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