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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK739-Z-T2 | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK740 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK740-E | RENESAS |
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10A, 150V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, SC-46, 3 PIN |
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| 2SK741 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK755 | PANASONIC |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK757 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 10A I(D) | SOT-186 |
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| 2SK758 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-channel Power F-MOS FET |
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| 2SK759 | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-channel Power F-MOS FET |
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| 2SK760 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK761 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-247VAR |
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