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2SK715W-AC

更新时间： 2024-11-10 01:19:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 622K
描述
N-Channel JFET

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2SK715W-AC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：1 week
风险等级：5.76配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：15 V最大漏极电流 (ID)：0.05 A
FET 技术：JUNCTIONJEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：NO端子面层：Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON

2SK715W-AC 数据手册

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2SK715  
N-Channel JFET  
15V, 7.3 to 24mA, 50mS  
www.onsemi.com  
Applications  
•
AM Tuner RF Amp, Low-noise Amp  
•
HF Low-noise Amp  
Features  
Electrical Connection Marking  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
•
•
•
Adoption of FBET Process  
Large yfs  
Small Ciss  
2
1 : Source  
2 : Gate  
3 : Drain  
K715  
LOT No.  
ꢀ
•
Very Low Noise Figure  
Specifications  
at Ta=25°C  
1
3
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Drain Voltage  
Gate Current  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
V
V
I
15  
--15  
10  
DSS  
V
GDS  
2SK715U-AC  
2SK715V-AC  
2SK715W-AC  
mA  
mA  
mW  
G
Drain Current  
I
50  
D
Allowable Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
300  
125  
D
Tj  
C
C
TO-92-3 / SPA-WA  
°
°
Tstg  
--55 to +125  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed,  
damage may occur and reliability may be affected.  
at Ta=25°C  
Electrical Characteristics  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
--15  
max  
Gate-to-Drain Breakdown Voltage  
Gate-to-Source Leakage Current  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=-- 10 A, V =0V  
DS  
=--10V, V =0V  
V
m
(BR)GDS  
G
I
I
V
V
V
--1.0  
nA  
mA  
V
GSS  
GS  
DS  
DS  
DS  
*
=5V, V =0V  
7.3*  
25  
24.0*  
--1.4  
DSS  
GS  
=5V, I =100 A  
V
(off)  
--0.6  
50  
m
GS  
yfs  
D
Forward Transfer Admittance  
Input Capacitance  
V
=5V, V =0V, f=1kHz  
GS  
mS  
pF  
pF  
dB  
|
|
DS  
Ciss  
Crss  
10  
V
=5V, V =0V, f=1MHz  
GS  
DS  
Reverse Transfer Capacitance  
Noise Figure  
3.0  
1.5  
V
=5V, R =1k , I =1mA, f=1kHz  
Ω
g D  
NF  
DS  
ꢀ:ꢀTheꢀ2SK715ꢀisꢀclassifiedꢀbyꢀI  
as follows : (unit : mA)  
V
*
DSS  
Rank  
U
W
I
7.3 to 12.0  
10.0 to 17.0  
14.5 to 24.0  
DSS  
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product performance may not be  
indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
Publication Order Number :  
1
March 2015 - Rev. 1  
2SK715/D  
12345

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