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2SK711GRTE85L

更新时间： 2024-11-06 14:28:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 234K
描述
TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET General Purpose Small Signal

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2SK711GRTE85L 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.09
配置：SINGLEFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：3 pFJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：125 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK711GRTE85L 数据手册

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2SK711  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type  
2SK711  
High Frequency Amplifier Applications  
Unit: mm  
AM High Frequency Amplifier Applications  
Audio Frequency Amplifier Applications  
•
•
High |Y |: |Y | = 25 mS (typ.)  
fs fs  
Low C : C = 7.5 pF (typ.)  
iss iss  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Gate-drain voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−20  
10  
V
GDS  
Gate current  
I
mA  
mW  
°C  
G
Drain power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
150  
D
T
j
125  
T
stg  
−55~125  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the  
absolute maximum ratings.  
JEDEC  
JEITA  
TO-236MOD  
SC-59  
TOSHIBA  
2-3F1B  
Weight: 0.012 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the  
Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and  
individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Gate leakage current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
= −15 V, V  
= 0 V  
⎯
⎯
⎯
−1.0  
nA  
V
GSS  
GS  
DS  
DS  
Gate-drain breakdown voltage  
V
= 0 V, I = −100 μA  
−20  
⎯
(BR) GDS  
G
I
DSS  
(Note)  
Drain current  
V
= 5 V, V  
= 0 V  
6
⎯
32  
mA  
DS  
GS  
Gate-source cut-off voltage  
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
V
V
V
V
V
= 5 V, I = 1 μA  
⎯
15  
⎯
⎯
⎯
25  
7.5  
2
−2.5  
⎯
V
GS (OFF)  
⎪Y ⎪  
DS  
DS  
DS  
DS  
D
= 5 V, V  
= 5 V, V  
= 0 V, f = 1 kHz  
= 0 V, f = 1 MHz  
mS  
pF  
pF  
fs  
GS  
GS  
C
10  
3
iss  
rss  
Reverse transfer capacitance  
C
= 5 V, I = 0 mA, f = 1 MHz  
D
Note: I  
classification  
DSS  
GR: 6~12 mA, BL: 10~20 mA, V: 16~32 mA  
(G)  
) ...... I  
(L)  
(V)  
(
rank marking  
DSS  
1
2007-11-01  
12345

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与2SK711GRTE85L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK711TE85R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236, FET General Purpose Small Signal
2SK711V ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 16MA I(DSS) | SC-59
2SK711-V TOSHIBA

获取价格

 		High Frequency Amplifier Applications AM High Frequency Amplifier Applications Audio Frequ
2SK711-VTE85L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, FET General Purpose Small Signal
2SK715 SANYO

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 		N-Channel JFET
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