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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | INFRA-RED SENSOR | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.001 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK549 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK54C | HITACHI |
获取价格 |
SILICON N-CHANNEL JUNCTION FET VHF AMPLIFIER, MIXER |
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| 2SK54-C | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK55 | HITACHI |
获取价格 |
SILICON N-CHANNEL JUNCTION FET |
|
| 2SK55 | RENESAS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK551 | HITACHI |
获取价格 |
SILICON N-CHANNEL MOS FET |
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| 2SK552 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK553 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK554 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
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| 2SK555 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
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