5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.89 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK54C | HITACHI |
获取价格 |
SILICON N-CHANNEL JUNCTION FET VHF AMPLIFIER, MIXER |
|
| 2SK54-C | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| 2SK55 | HITACHI |
获取价格 |
SILICON N-CHANNEL JUNCTION FET |
|
| 2SK55 | RENESAS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
|
| 2SK551 | HITACHI |
获取价格 |
SILICON N-CHANNEL MOS FET |
|
| 2SK552 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
|
| 2SK553 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
|
| 2SK554 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
|
| 2SK555 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
|
| 2SK556 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
|
LM317T数据手册解读：产品特性、应用、封装与引脚详解
一文带你了解?DB3二极管好坏判断、参数信息、替代推荐
LM358DR数据手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
OP07CP数据手册解读：引脚信息、电子参数
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
