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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK579S | HITACHI |
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HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK58 | SONY |
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Silicon N-Channel Junction Type Dual FET (DC-to-VHF Use, Low Noise) |
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| 2SK580 | HITACHI |
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HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK580L | HITACHI |
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HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK580S | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK583 | SANYO |
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Analog Switch Applications |
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| 2SK583AA | ONSEMI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK583-AA | ONSEMI |
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200mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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| 2SK583AB | ONSEMI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK583-AB | ONSEMI |
获取价格 |
200mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-92 |
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