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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK553 | HITACHI |
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HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK554 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
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| 2SK555 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
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| 2SK556 | HITACHI |
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HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK557 | HITACHI |
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HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK559 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK55-E | HITACHI |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK55RF | RENESAS |
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VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-92 |
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| 2SK55RR | RENESAS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK55TZ | RENESAS |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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