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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 18 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.01 A |
| 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND | JEDEC-95代码： | TO-92 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK551 | HITACHI |
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SILICON N-CHANNEL MOS FET |
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| 2SK552 | HITACHI |
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HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK553 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK554 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
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| 2SK555 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
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| 2SK556 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK557 | HITACHI |
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HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK559 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK55-E | HITACHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK55RF | RENESAS |
获取价格 |
VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-92 |
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