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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-W3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.3 |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 0.6 pF | 最高频带： | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK55 | HITACHI |
获取价格 |
SILICON N-CHANNEL JUNCTION FET |
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| 2SK55 | RENESAS |
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RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C |
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| 2SK551 | HITACHI |
获取价格 |
SILICON N-CHANNEL MOS FET |
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| 2SK552 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK553 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK554 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
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| 2SK555 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220 |
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| 2SK556 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK557 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK559 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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