2SK4003

更新时间： 2024-10-30 03:56:43

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东芝 - TOSHIBA		晶体转换器稳压器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲电机驱动
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Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive Applications

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2SK4003 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.32	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	168 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	2.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	12 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK4003 数据手册

2SK4003

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π−MOS VI)

2SK4003

Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive

Applications

Unit: mm

６．５±０．２

５．２±０．２

０．６ MAX．

z Low drain−source ON-resistance

: R

= 1.7 Ω (typ.)

DS (ON)

z Low leakage current

z Enhancement mode

: I

= 100 μA (max) (V

= 600 V)

DSS

: V = 2.0~4.0 V (V

= 10 V, I = 1 mA)

１．１±０．２

０．６ MAX

０．９

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

２．３２．３

Characteristic

Drain−source voltage

Symbol

Rating

Unit

１

２

３

600

±30

DSS

０．６±０．１５

０．８ MAX．

１．1 MAX．

Drain−gate voltage (R

Gate−source voltage

= 20 kΩ)

DGR

GSS

(Note 1)

Drain current

Pulse

JEDEC

JEITA

⎯

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

Single-pulse avalanche energy

168

(Note 2)

TOSHIBA

2-7J2B

Avalanche current

Weight: 0.36 g (typ.)

Repetitive avalanche energy (Note 3)

Channel temperature

°C

150

Storage temperature range

stg

−55~150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in

temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.

operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate

reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and

Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).

Thermal Characteristics

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal resistance, channel to

ambient

125

°C / W

th (ch−a)

Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.

Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 8.2 mH, R = 25 Ω, I = 6 A

Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.

2006-11-08

12 3

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