Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3740-ZK-AZ

2SK3740-ZK-AZ

更新时间： 2024-11-21 13:00:47

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关
页数	文件大小	规格书
8页	169K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 250V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, MP-25ZK, 3 PIN

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2SK3740-ZK-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-263
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.37
雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.16 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3740-ZK-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3740

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3740 is N-channel MOS FET device that

features a low on-state resistance and excellent

switching characteristics, designed for high voltage

applications such as lamp drive, DC/DC converter, and

actuator driver.

PART NUMBER

PACKAGE

2SK3740-ZK

TO-263 (MP-25ZK)

(TO-263)

FEATURES

• Gate voltage rating: ±30 V

• Low on-state resistance

R^DS(on)= 160 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A)

• Low gate charge

Q^G= 47 nC TYP. (VDD = 200 V, VGS = 10 V, ID = 20 A)

• Surface mount package available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

P^T1

250

±30

±20

±60

1.5

°C

PT2

T^ch

100

150

Storage Temperature

T^stg

I^AS

E^AS

–55 to +150

°C

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 125 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 µH

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

Rth(ch-C)

R^th(ch-A)

1.25

83.3

°C/W

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D16913EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published November 2003 NS CP(K)

Printed in Japan

2003

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3742	TOSHIBA	获取价格	Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications
2SK3742_09	TOSHIBA	获取价格	Switching Regulator Applications
2SK3743	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications
2SK3743_09	TOSHIBA	获取价格	Switching Regulator Applications
2SK3745LS	SANYO	获取价格	High-Voltage, High-Speed Switching Applications
2SK3745LS_12	SANYO	获取价格	High-Voltage, High-Speed Switching Applications
2SK3745LS-1E	SANYO	获取价格	High-Voltage, High-Speed Switching Applications
2SK3745LS-1E	ONSEMI	获取价格	N-Channel Power MOSFET, 1500V, 2A, 13Ω, TO-22
2SK3746	SANYO	获取价格	High-Voltage, High-Speed Switching Applications
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