2SK3634-AZ

更新时间： 2024-11-16 13:04:27

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
8页	167K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, TO-251, 3 PIN

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2SK3634-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-251, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3634-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3634

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SK3634 is N-channel MOS FET device that features

a low on-state resistance and excellent switching

characteristics, and designed for high voltage applications

such as DC/DC converter.

PART NUMBER

PACKAGE

2SK3634

TO-251 (MP-3)

TO-252 (MP-3Z)

2SK3634-Z

FEATURES

• High voltage: VDSS = 200 V

• Gate voltage rating: ±30 V

R^DS(on)= 0.60 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 3.0 A)

• Low C^iss: Ciss = 270 pF TYP. (VDS = 10 V, VGS = 0 V)

• Built-in gate protection diode

• TO-251/TO-252 package

(TO-251)

(TO-252)

• Avalanche capability rated

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)

Drain Current (DC) (TC = 25°C)

Drain Current (Pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

200

±30

±6.0

±18

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (TA = 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.0

Tch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

6.0

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

Repetitive Avalanche Current ^Note3

Repetitive Pulse Avalanche Energy ^Note3

I^AS

E^AS

3.6

I^AR

6.0

E^AR

2.0

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 100 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 µH

3. T^ch≤ 125°C , RG = 25 Ω, VDD = 100 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D15936EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published August 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2001

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3634-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3634-Z	RENESAS	获取价格	6000mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252, TO-252, 3 PIN
2SK3635	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3635	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3635	TYSEMI	获取价格	High voltage: VDSS = 200 V Gate voltage rating: -30 V Built-in gate protection diode
2SK3635-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK3635-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3636	TYSEMI	获取价格	Avalanche energy capacity guaranteed: EAS 20 mJ High-speed switching: tf = 50 ns
2SK3636	KEXIN	获取价格	Silicon N-channel Power MOSFET
2SK3637	TYSEMI	获取价格	Low on-resistance, low Qg High avalanche resistance

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