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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK3635-Z
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2SK3635-Z

更新时间： 2024-02-27 08:12:44
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体小信号场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 166K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3635-Z 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.31Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (ID)：8 A
最大漏源导通电阻：0.48 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3635-Z 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK3635  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
ORDERING INFORMATION  
DESCRIPTION  
The 2SK3635 is N-channel MOS FET device that features  
a low on-state resistance and excellent switching  
characteristics, and designed for high voltage applications  
such as DC/DC converter.  
PART NUMBER  
PACKAGE  
2SK3635  
TO-251 (MP-3)  
TO-252 (MP-3Z)  
2SK3635-Z  
FEATURES  
• High voltage: VDSS = 200 V  
• Gate voltage rating: ±30 V  
• Low on-state resistance  
RDS(on) = 0.43 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 4.0 A)  
• Low Ciss: Ciss = 390 pF TYP.  
• Built-in gate protection diode  
• TO-251/TO-252 package  
• Avalanche capability rated  
(TO-251)  
(TO-252)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)  
Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)  
Drain Current (DC) (TC = 25°C)  
Drain Current (pulse) Note1  
VDSS  
VGSS  
ID(DC)  
ID(pulse)  
PT1  
200  
V
V
±30  
±8.0  
A
±24  
A
Total Power Dissipation (TC = 25°C)  
Total Power Dissipation (TA = 25°C)  
Channel Temperature  
24  
W
W
°C  
°C  
A
PT2  
1.0  
Tch  
150  
Storage Temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Single Avalanche Current Note2  
Single Avalanche Energy Note2  
Repetitive Avalanche Current Note3  
Repetitive Avalanche Energy Note3  
IAS  
8
EAS  
6.4  
8
mJ  
A
IAR  
EAR  
2.4  
mJ  
Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%  
2. Starting Tch = 25°C, VDD = 100 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 µH  
3. Tch ≤ 125°C, RG = 25 Ω, VDD = 100 V  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics  
sales representative for availability and additional information.  
Document No. D15932EJ2V0DS00 (2nd edition)  
Date Published August 2004 NS CP(K)  
Printed in Japan  
The mark  
shows major revised points.  
2001  
12345678

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