2SK3635

更新时间： 2024-11-15 22:52:59

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管开关
页数	文件大小	规格书
8页	166K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3635 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-251	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.31	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.48 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3635 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3635

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The 2SK3635 is N-channel MOS FET device that features

a low on-state resistance and excellent switching

characteristics, and designed for high voltage applications

such as DC/DC converter.

PART NUMBER

PACKAGE

2SK3635

TO-251 (MP-3)

TO-252 (MP-3Z)

2SK3635-Z

FEATURES

• High voltage: VDSS = 200 V

• Gate voltage rating: ±30 V

• Low on-state resistance

R^DS(on)= 0.43 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 4.0 A)

• Low C^iss: Ciss = 390 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

• TO-251/TO-252 package

• Avalanche capability rated

(TO-251)

(TO-252)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (TC = 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

200

±30

±8.0

±24

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (TA = 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.0

T^ch

150

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

Repetitive Avalanche Current ^Note3

Repetitive Avalanche Energy ^Note3

I^AS

E^AS

6.4

I^AR

E^AR

2.4

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 100 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 µH

3. T^ch≤ 125°C, RG = 25 Ω, VDD = 100 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D15932EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published August 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2001

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与2SK3635相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3635-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK3635-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3636	TYSEMI	获取价格	Avalanche energy capacity guaranteed: EAS 20 mJ High-speed switching: tf = 50 ns
2SK3636	KEXIN	获取价格	Silicon N-channel Power MOSFET
2SK3637	TYSEMI	获取价格	Low on-resistance, low Qg High avalanche resistance
2SK3637	KEXIN	获取价格	Silicon N-channel Power MOSFET
2SK3637	PANASONIC	获取价格	Silicon N-channel power MOSFET
2SK3638	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3638	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3638	TYSEMI	获取价格	Low on-state resistance RDS(on)1 = 8.5 m MAX. Built-in gate protection diode

与2SK3635相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

11
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

5
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

31
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3635

2SK3635 技术参数

2SK3635 数据手册

与2SK3635相关器件

与2SK3635相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3635

2SK3635 技术参数

2SK3635 数据手册

与2SK3635相关器件

与2SK3635相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？