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2SK3376TK-BK

更新时间： 2024-01-23 00:53:35

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
6页	152K
描述
TRANSISTOR 0.39 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, LEAD FREE, 2-1R1A, TESM3, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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2SK3376TK-BK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEAD FREE, 2-1H1A, VESM2, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.23
外壳连接：	GATE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最大漏极电流 (ID)：	0.00039 A	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3376TK-BK 数据手册

2SK3376MFV

VN – I

THD– I

DSS

2.0

1.5

1.0

THD:VDD=2V

Cg=5pF

VN:VDD=2V

Cg=10pF

RL= 2.2kΩ

f=1kHz

vin=50mV

RL= 1kΩ

f=1kHz

80dB AMP

A-Curve Filter

IDSS: VDS=2V

VGS=0V

IDSS: VDS=2V

VGS=0V

Common Source

Ta = 25°C

0.5

100

200

300

400

500

600

100

200

300

400

500

600

Drain Current

(µA)

DSS

Drain Current

(µA)

DSS

iss

– V

VGS=0V

f=1kHz

Common Source

Ta = 25°C

Drain - Source voltage

(V)

2007-11-01

1 2 3 456

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