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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK3376TK-BK
2SK3376TK-BK PDF预览

2SK3376TK-BK

更新时间： 2024-02-29 16:58:40
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 152K
描述
TRANSISTOR 0.39 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, LEAD FREE, 2-1R1A, TESM3, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal

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2SK3376TK-BK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：LEAD FREE, 2-1H1A, VESM2, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.23
外壳连接：GATE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最大漏极电流 (ID)：0.00039 AFET 技术：JUNCTION
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3376TK-BK 数据手册

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2SK3376MFV  
Electrical Characteristics (A-Rank IDSS Ta=25°C)  
Characteristic  
Drain Current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
= 2 V, V  
= 0  
80  
⎯
⎯
⎯
200  
240  
-0.8  
⎯
µA  
µA  
V
DSS  
DS  
DD  
DS  
DS  
DS  
DD  
DD  
DD  
DD  
GS  
= 2 V, RL= 2kΩ,Cg = 3pF  
= 2 V, I = 1μA  
Drain Current  
I
D
Gate-Source Cut-off Voltage  
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
Voltage Gain  
V
-0.1  
0.7  
⎯
⎯
GS(OFF)  
|Y |  
D
= 2 V,V  
= 0V  
1.4  
5.5  
⎯
mS  
pF  
dB  
dB  
dB  
fs  
GS  
C
= 2 V, V  
= 0, f = 1 MHz  
GS  
⎯
iss  
Gv  
= 2V, RL= 2kΩ,Cg = 3pF, f = 1kHz  
-13.5  
⎯
-9.0  
-2.0  
-4.0  
47  
Delta Voltage Gain  
Delta Voltage Gain  
Noise Voltage  
DGv(f)  
DGv(V)  
= 2V, RL= 2kΩ,Cg = 3pF,f = 1kHz to 100Hz  
= 2V to 1V, RL= 2kΩ,Cg = 3pF,f = 1kHz  
= 2V, RL= 1kΩ,Cg = 3pF,Gv=80dB,f=A-Curve  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
VN  
mV  
Filter  
Electrical Characteristics (B-Rank IDSS Ta=25°C)  
Characteristic  
Drain Current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
= 2 V, V  
= 0  
170  
⎯
⎯
⎯
300  
340  
-1.0  
⎯
µA  
µA  
V
DSS  
DS  
DD  
DS  
DS  
DS  
DD  
DD  
DD  
DD  
GS  
= 2 V, RL= 2kΩ,Cg = 3pF  
= 2 V, I = 1μA  
Drain Current  
I
D
Gate-Source Cut-off Voltage  
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
Voltage Gain  
V
-0.15  
0.7  
⎯
⎯
GS(OFF)  
|Y |  
D
= 2 V,V  
= 0V  
1.4  
5.5  
⎯
mS  
pF  
dB  
dB  
dB  
fs  
GS  
C
= 2 V, V  
= 0, f = 1 MHz  
GS  
⎯
iss  
Gv  
= 2V, RL= 2kΩ,Cg = 3pF, f = 1kHz  
-11.5  
⎯
-8.0  
-2.0  
-7.0  
50  
Delta Voltage Gain  
Delta Voltage Gain  
Noise Voltage  
DGv(f)  
DGv(V)  
= 2V, RL= 2kΩ,Cg = 3pF,f = 1kHz to 100Hz  
= 2V to 1V, RL= 2kΩ,Cg = 3pF,f = 1kHz  
= 2V, RL= 1kΩ,Cg = 3pF,Gv=80dB,f=A-Curve  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
VN  
mV  
Filter  
Electrical Characteristics (C-Rank IDSS Ta=25°C)  
Characteristic  
Drain Current  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
V
V
V
V
V
V
V
V
V
= 2 V, V  
= 0  
270  
⎯
⎯
⎯
480  
520  
-1.2  
⎯
µA  
µA  
V
DSS  
DS  
DD  
DS  
DS  
DS  
DD  
DD  
DD  
DD  
GS  
= 2 V, RL= 2kΩ,Cg = 3pF  
= 2 V, I = 1μA  
Drain Current  
I
D
Gate-Source Cut-off Voltage  
Forward transfer admittance  
Input capacitance  
Voltage Gain  
V
-0.2  
0.7  
⎯
⎯
GS(OFF)  
|Y |  
D
= 2 V,V  
= 0V  
1.4  
5.5  
⎯
mS  
pF  
dB  
dB  
dB  
fs  
GS  
C
= 2 V, V  
= 0, f = 1 MHz  
GS  
⎯
iss  
Gv  
= 2V, RL= 2kΩ,Cg = 3pF, f = 1kHz  
-10.5  
⎯
-6.75  
-2.0  
-20  
75  
Delta Voltage Gain  
Delta Voltage Gain  
Noise Voltage  
DGv(f)  
DGv(V)  
= 2V, RL= 2kΩ,Cg = 3pF,f = 1kHz to 100Hz  
= 2V to 1V, RL= 2kΩ,Cg = 3pF,f = 1kHz  
= 2V, RL= 1kΩ,Cg = 3pF,Gv=80dB,f=A-Curve  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
VN  
mV  
Filter  
2
2007-11-01  
123456

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