5秒后页面跳转
2SK3148-E PDF预览

2SK3148-E

更新时间: 2024-09-15 06:26:03
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 88K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3148-E 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:TO-220FM包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.21
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.085 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):30 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK3148-E 数据手册

 浏览型号2SK3148-E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3148-E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3148-E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK3148-E的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK3148-E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK3148-E的Datasheet PDF文件第7页 
2SK3148  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1073-0200  
(Previous: ADE-208-748)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Features  
Low on-resistance  
RDS =45 mtyp.  
High speed switching  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003AD-A  
(Package name: TO-220FM)  
D
G
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7  

2SK3148-E 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SK3148 RENESAS

功能相似

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK3148 HITACHI

功能相似

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

与2SK3148-E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3149 RENESAS

获取价格

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK3149 HITACHI

获取价格

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK3149-E RENESAS

获取价格

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK315 SANYO

获取价格

N-Channel Junction Silicon Field-Effect Transistor(FM Tuner Applications)
2SK3150 HITACHI

获取价格

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK3150 RENESAS

获取价格

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK3150(L) ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-262AA
2SK3150(L)|2SK3150(S) ETC

获取价格

2SK3150(S) ETC

获取价格

TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-263AB
2SK3150(S)-(1) RENESAS

获取价格

TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,20A I(D),TO-263ABVAR