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2SK3150L-E PDF预览

2SK3150L-E

更新时间： 2024-11-29 06:26:31
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关ISM频段
页数 文件大小 规格书
9页 95K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SK3150L-E 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
零件包装代码：LDPAK(L)包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.23
Is Samacsys：N外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A最大漏极电流 (ID)：20 A
最大漏源导通电阻：0.085 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：TIN BISMUTH
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3150L-E 数据手册

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2SK3150(L), 2SK3150(S)  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1075-0400  
(Previous: ADE-208-750B)  
Rev.4.00  
Sep 07, 2005  
Features  
•
Low on-resistance  
RDS =45 mΩ typ.  
•
•
High speed switching  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A  
(Package name: LDPAK(L))  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B  
(Package name: LDPAK(S)-(1))  
D
4
4
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
1
2
3
S
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 8  
1234567...9

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