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2SK3151

更新时间: 2024-09-14 22:52:55
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描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3151 数据手册

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2SK3151  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-747A (Z)  
2nd. Edition  
February 1999  
Features  
Low on-resistance  
RDS (on) = 11.5 mtyp.  
High speed switching  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Outline  
TO–3P  
D
2
1
G
1. Gate  
2. Drain  
(Flange)  
3. Source  
1
2
3
3
S

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