是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Not Recommended | 零件包装代码: | TO-3P |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.21 | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 150 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 50 A | 最大漏极电流 (ID): | 50 A |
最大漏源导通电阻: | 0.042 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 200 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2SK3159-E | RENESAS |
功能相似 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK3159 | HITACHI |
功能相似 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK3159-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK315E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 2.5MA I(DSS) | SPAK | |
2SK315F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 5MA I(DSS) | SPAK | |
2SK315G | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 10MA I(DSS) | SPAK | |
2SK316 | PANASONIC |
获取价格 |
SI N CHANNEL JUCTION | |
2SK3160 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK3160 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK3160-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK3161 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK3161 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |