2SK3158

更新时间： 2024-11-05 22:52:55

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日立 - HITACHI		开关电源开关
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4页	30K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SK3158 数据手册

2SK3158

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-757A(Z)

Target Specification

2nd. Edition

December 1998

Features

•

Low on-resistance

R_DS=35mΩ typ.

•

High speed switching

4V gate drive device can be driven from 5V source

Outline

TO–220AB

1. Gate

2. Drain(Flange)

3. Source

12 3 4

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