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2SK3150STL-E

更新时间: 2024-11-05 06:26:31
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关ISM频段
页数 文件大小 规格书
9页 95K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3150STL-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:LDPAK(S)-(1)包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.35
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.085 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e6
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):245极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):50 W最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:TIN BISMUTH
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:20晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK3150STL-E 数据手册

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2SK3150(L), 2SK3150(S)  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1075-0400  
(Previous: ADE-208-750B)  
Rev.4.00  
Sep 07, 2005  
Features  
Low on-resistance  
RDS =45 mtyp.  
High speed switching  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A  
(Package name: LDPAK(L))  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B  
(Package name: LDPAK(S)-(1))  
D
4
4
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
1
2
3
S
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 8  

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