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2SK3150

更新时间: 2024-11-04 22:52:55
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日立 - HITACHI 开关电源开关
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描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK3150 数据手册

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2SK3150(L), 2SK3150(S)  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-750A (Z)  
2nd. Edition  
February 1999  
Features  
Low on-resistance  
RDS = 45 mtyp.  
High speed switching  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Outline  
LDPAK  
4
4
D
1
2
3
1
G
2
3
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
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S

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