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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3042
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2SK3042

更新时间： 2024-01-15 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
3页 45K
描述
Silicon N-Channel Power F-MOS FET

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2SK3042 技术参数

是否无铅：含铅生命周期：Obsolete
包装说明：TO-220D, 3 PINReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.83Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：45 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：7 A最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：0.6 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：45 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3042 数据手册

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Power F-MOS FETs  
2SK3042  
Silicon N-Channel Power F-MOS FET  
■ Features  
● Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 45mJ  
● High-speed switching: tf = 30ns  
● No secondary breakdown  
unit: mm  
4.6±0.2  
9.9±0.3  
2.9±0.2  
■ Applications  
● Contactless relay  
φ3.2±0.1  
● Diving circuit for a solenoid  
● Driving circuit for a motor  
● Control equipment  
1.4±0.2  
2.6±0.1  
1.6±0.2  
● Switching power supply  
0.8±0.1  
0.55±0.15  
■ Absolute Maximum Ratings (TC = 25°C)  
2.54±0.3  
3
5.08±0.5  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
1
2
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
250  
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
Gate to Source voltage  
DC  
Pulse  
Avalanche energy capacity  
VGSS  
ID  
±20  
V
±7  
A
Drain current  
TO-220D Package  
IDP  
±14  
A
EAS*  
45  
mJ  
Allowable power  
dissipation  
TC = 25°C  
Ta = 25°C  
35  
PD  
W
2
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
*
L = 0.1mH, IL = 8A, VDD = 50V, 1 pulse  
■ Electrical Characteristics (TC = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
IDSS  
Conditions  
VDS = 200V, VGS = 0  
VGS = ±20V, VDS = 0  
ID = 1mA, VGS = 0  
VDS = 10V, ID = 1mA  
VGS = 10V, ID = 5A  
VDS = 10V, ID = 5A  
IDR = 8A, VGS = 0  
min  
typ  
max  
Unit  
mA  
µA  
V
Drain to Source cut-off current  
Gate to Source leakage current  
0.1  
±1  
IGSS  
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
250  
1
Gate threshold voltage  
Vth  
5
V
Drain to Source ON-resistance  
Forward transfer admittance  
Diode forward voltage  
RDS(on)  
| Yfs |  
VDSF  
0.4  
4.7  
0.6  
Ω
2.7  
S
−1.7  
V
Input capacitance (Common Source) Ciss  
Output capacitance (Common Source) Coss  
Reverse transfer capacitance (Common Source) Crss  
1100  
200  
60  
pF  
pF  
pF  
ns  
VDS = 10V, VGS = 0, f = 1MHz  
Turn-on time (delay time)  
Rise time  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
20  
VGS = 10V, ID = 5A  
20  
ns  
Turn-off time (delay time)  
Fall time  
VDD = 100V, RL = 20Ω  
130  
30  
ns  
ns  
1
123

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