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2SK2980ZZ-TR-E

更新时间: 2024-11-13 06:25:35
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关小信号场效应晶体管电源开关光电二极管ISM频段
页数 文件大小 规格书
7页 81K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2980ZZ-TR-E 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-59A包装说明:LEAD FREE, SC-59A, MPAK-3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.65
Is Samacsys:N配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V最大漏极电流 (Abs) (ID):1 A
最大漏极电流 (ID):1 A最大漏源导通电阻:0.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e6元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):0.8 W认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:YES
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK2980ZZ-TR-E 数据手册

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2SK2980  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1061-0400  
(Previous: ADE-208-571B)  
Rev.4.00  
Sep 07, 2005  
Features  
Low on-resistance  
RDS(on) = 0.2 typ. (VGS = 4 V, ID = 500 mA)  
2.5 V gate drive devices.  
Small package (MPAK)  
Outline  
RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A  
(Package name: MPAK)  
D
3
1
2
G
1. Source  
2. Gate  
3. Drain  
S
Note: Marking is “ZZ–”  
Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

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