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2SK2986(2-10S2B)

更新时间： 2024-01-26 22:12:20
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 475K
描述
TRANSISTOR 55 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10S2B, 3 PIN, FET General Purpose Power

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2SK2986(2-10S2B) 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.91雪崩能效等级（Eas）：525 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：55 A
最大漏源导通电阻：0.01 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2986(2-10S2B) 数据手册

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2SK2986  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOSII)  
2SK2986  
DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive  
Applications  
Unit: mm  
z Low drain−source ON resistance  
z High forward transfer admittance  
: R  
= 4.5 mΩ (typ.)  
DS (ON)  
: |Y | = 80 S (typ.)  
fs  
z Low leakage current : I  
= 100 μA (max) (V  
= 60 V)  
DSS  
DS  
z Enhancement mode : V = 1.3 to 2.5 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain−source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
60  
60  
V
V
V
DSS  
Drain−gate voltage (R  
Gate−source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
±20  
55  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Pulse (t≤10 s)  
70  
Drain current  
A
(Note 1)  
Pulse (t≤1 ms)  
I
DP  
280  
100  
525  
(Note 1)  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
Single pulse avalanche energy  
P
W
D
AS  
AR  
E
mJ  
(Note 2)  
TOSHIBA  
2-10S1B  
Avalanche current  
I
55  
10  
A
Weight: 1.5 g (typ.)  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.)  
may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the  
operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate reliability  
upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data  
(i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
1.25  
83.3  
°C / W  
°C / W  
th (ch−c)  
JEDEC  
JEITA  
―
―
R
th (ch−a)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 25 V, T = 25°C (initial), L = 236 μH, I = 55 A, R = 25 Ω  
TOSHIBA  
2-10S2B  
V
DD  
ch  
AR  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel  
temperature  
Weight: 1.5 g (typ.)  
This transistor is an electrostatic-sensitive device.  
Please handle with caution.  
1
2009-09-29  
123456

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