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2SK2986(2-10S2B)

更新时间: 2024-01-16 14:08:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 475K
描述
TRANSISTOR 55 A, 60 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10S2B, 3 PIN, FET General Purpose Power

2SK2986(2-10S2B) 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.91雪崩能效等级(Eas):525 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):55 A
最大漏源导通电阻:0.01 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):280 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK2986(2-10S2B) 数据手册

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2SK2986  
R
V
= 25  
G
1
2
B
VDSS  
E
=
L I2 ⋅  
AS  
= 25 V, L = 236 μH  
DD  
B
V  
DD  
VDSS  
5
2009-09-29  

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