是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | SC-62 | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.76 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 2.5 A |
最大漏极电流 (ID): | 2.5 A | 最大漏源导通电阻: | 0.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSSO-F3 |
JESD-609代码: | e6 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | TIN BISMUTH |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 20 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SK298 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-3 |
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2SK2980 | RENESAS | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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2SK2980 | HITACHI | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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2SK2980TL | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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2SK2980TR | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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2SK2980UR | HITACHI | 1A, 30V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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