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2SK2978ZYTR-E

更新时间： 2024-02-14 13:26:27

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瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
7页	77K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SK2978ZYTR-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-62	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2978ZYTR-E 数据手册

2SK2978

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

Unit

±10

2.5

Note1

Drain peak current

I_D(pulse)

Body-drain diode reverse drain current

Channel dissipation

I_DR

2.5

Pch ^Note2

Tch

°C

Channel temperature

150

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW ≤ 10µs, duty cycle ≤ 1 %

2. When using the alumina ceramic board (12.5 x 20 x 0.7 mm)

Electrical Characteristics

(Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_(BR)DSS

V_(BR)GSS

I_DSS

Min

Typ

—

Max

—

Unit

Test Conditions

I_D= 10 mA, V_GS= 0

Drain to source breakdown voltage

Gate to source breakdown voltage

Zero gate voltage drain current

Gate to source leak current

Gate to source cutoff voltage

±10

—

I_G= ±100 µA, V_DS= 0

V_DS= 20 V, V_GS= 0

V_GS= ±8 V, V_DS= 0

I_D= 1 mA, V_DS= 10 V

I_D= 1.5 A, V_GS= 4 V ^Note3

—

µA

I_GSS

—

±10

1.5

0.12

V_GS(off)

R_DS(on)

0.5

—

Static drain to source on state

resistance

0.09

Ω

Static drain to source on state

resistance

R_DS(on)

—

0.12

0.20

Ω

I_D= 1.5 A, V_GS= 2.5 V ^Note3

Forward transfer admittance

Input capacitance

|y_fs|

Ciss

Coss

Crss

t_d(on)

t_r

3.0

—

5.0

260

150

—

I_D= 1.5 A, V_DS= 10 V ^Note3

V_DS= 10 V, V_GS= 0,

f = 1 MHz

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

V_GS= 4 V, I_D= 1.5 A,

R_L= 6.67 Ω

Turn-off delay time

Fall time

t_d(off)

t_f

Body–drain diode forward voltage

V_DF

t_rr

0.9

I_F= 2.5 A, V_GS= 0

Body–drain diode reverse

recovery time

I_F= 2.5 A, V_GS= 0

di_F/ dt = 50 A/ µs

Note: 3. Pulse test

Rev.5.00 Sep. 07, 2005 page 2 of 6

123 4 5 6 7

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与2SK2978ZYTR-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SK2980	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SK2980	HITACHI	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SK2980TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SK2980TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SK2980UR	HITACHI	1A, 30V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格

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