Datasheet > 2SK2978ZYTR-E

2SK2978ZYTR-E

更新时间： 2024-01-08 03:18:04

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
7页	77K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK2978ZYTR-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-62	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2978ZYTR-E 数据手册

2SK2978

Static Drain to Source on State

Resistance vs. Temperature

Forward Transfer Admittance

vs. Drain Current

0.25

0.2

Pulse Test

Tc = –25°C

2.5 A

25°C

I_D= 5 A

0.15

0.1

2.5 V

75°C

1 A

5 A

0.5

1, 2.5 A

V_GS= 4 V

0.05

0.2

0.1

V_DS= 10 V

Pulse Test

–40

120

160

0.1 0.2

0.5

Case Temperature T_C(°C)

Drain Current I_D(A)

Body to Drain Diode Reverse

Recovery Time

Typical Capacitance

vs. Drain to Source Voltage

100

1000

Ciss

300

100

Coss

Crss

di / dt = 50 A / µs

V_GS= 0, Ta = 25°C

V_GS= 0

f = 1 MHz

0.1

0.2

0.5

Reverse Drain Current I_DR(A)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Dynamic Input Characteristics

I_D= 2.5 A

Switching Characteristics

1000

500

V_GS= 4 V, V_DD= 10 V

PW = 5 µs, duty < 1 %

V_GS

200

100

V_DD= 10 V

5 V

d(off)

V_DD= 10 V

5 V

d(on)

0.1 0.2

0.5

Drain Current I_D(A)

Gate Charge Qg (nc)

Rev.5.00 Sep. 07, 2005 page 4 of 6

1 2 345 6 7

下载PDF

与2SK2978ZYTR-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK298	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-3	获取价格
2SK2980	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SK2980	HITACHI	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SK2980TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SK2980TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 30V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-	获取价格
2SK2980UR	HITACHI	1A, 30V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格