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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK2980ZZ-TL-E

2SK2980ZZ-TL-E PDF预览

2SK2980ZZ-TL-E

更新时间： 2024-01-29 00:01:11

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关电源开关
页数	文件大小	规格书
7页	81K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SK2980ZZ-TL-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-59A	包装说明：	LEAD FREE, SC-59A, MPAK-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1 A
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2980ZZ-TL-E 数据手册

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2SK2980

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G1061-0400

(Previous: ADE-208-571B)

Rev.4.00

Sep 07, 2005

Features

•

Low on-resistance

R_DS(on)= 0.2 Ω typ. (V_GS= 4 V, I_D= 500 mA)

2.5 V gate drive devices.

Small package (MPAK)

•

•

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

D

3

1

2

G

1. Source

2. Gate

3. Drain

S

Note: Marking is “ZZ–”

Rev.4.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6

12 3 4 5 6 7

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与2SK2980ZZ-TL-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK2980ZZ-TR-E	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching	获取价格
2SK2981	NEC	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	获取价格
2SK2981-Z	NEC	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	获取价格
2SK2982	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-251AA	获取价格
2SK2982-Z	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-252AA	获取价格
2SK2983	NEC	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	获取价格

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