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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 312 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.85 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 32 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2973 | MITSUBISHI |
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RF POWER MOS FET(VHF/UHF power amplifiers) |
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| 2SK2974 | MITSUBISHI |
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RF POWER MOS FET(VHF/UHF power amplifiers) |
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| 2SK2975 | MITSUBISHI |
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RF POWER MOS FET(VHF/UHF power amplifiers) |
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| 2SK2976 | SANYO |
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DC-DC Converter Applications |
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| 2SK2976TP | SANYO |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251VAR |
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| 2SK2976TP-FA | SANYO |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SK2977 | SANYO |
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DC/DC Converter Applications |
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| 2SK2977LS | SANYO |
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DC/DC Converter Applications |
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| 2SK2978 | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2978 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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