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2SK2887

更新时间: 2024-11-17 22:52:55
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罗姆 - ROHM 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 140K
描述
Switching (200V, 3A)

2SK2887 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.19Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (Abs) (ID):3 A
最大漏极电流 (ID):3 A最大漏源导通电阻:0.9 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):20 W最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:TIN COPPER
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK2887 数据手册

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Transistors  
Switching (200V, 3A)  
2SK2887  
FFeatures  
FExternal dimensions (Units: mm)  
1) Low on-resistance.  
2) Fast switching speed.  
3) Wide SOA (safe operating area).  
4) Gate-source voltage (VGSS) guaran-  
teed to be ±30V.  
5) Easily designed drive circuits.  
6) Easy to parallel.  
FStructure  
Silicon N-channel  
MOSFET  
FAbsolute maximum ratings (Ta = 25_C)  
FPackaging specifications  
166  

2SK2887 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDD7N20TM ONSEMI

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2SK2889(2-10S2B) TOSHIBA

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TRANSISTOR 10 A, 600 V, 0.75 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-10S2B, 3 PIN, FET Genera
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