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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2896-01S
2SK2896-01S PDF预览

2SK2896-01S

更新时间： 2024-02-07 08:43:49
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关
页数 文件大小 规格书
3页 242K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK2896-01S 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.83
Is Samacsys：N其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：45 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2896-01S 数据手册

 浏览型号2SK2896-01S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2896-01S的Datasheet PDF文件第3页 
N-channel MOS-FET  
2SK2896-01L,S  
12mW  
FAP-IIIB Series  
60V  
±45A  
60W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Current  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- Avalanche Rated  
> Applications  
- Motor Control  
- General Purpose Power Amplifier  
DC-DC converters  
-
> Maximum Ratings and Characteristics  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
V
60  
DS  
I
±45  
±180  
±20  
A
D
I
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
V
GS  
Maximum Avalanche Energy  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
E
461.9  
60  
mJ*  
W
AV  
P
D
T
150  
°C  
°C  
ch  
T
-55 ~ +150  
L=0.304mH,Vcc=24V  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
60  
1,0  
Typ.  
1,5  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
BV  
DSS  
ID=1mA  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
I
2,0  
500  
1,0  
100  
20  
V
GS(th)  
DSS  
VDS=60V  
VGS=0V  
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
mW  
mW  
S
VGS=±20V  
ID=22,5A  
ID=22,5A  
ID=22,5A  
Gate Source Leakage Current  
I
GSS  
VGS=4V  
Drain Source On-State Resistance  
R
15  
DS(on)  
VGS=10V  
VDS=25V  
10  
12  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
g
C
C
C
t
15  
35  
fs  
VDS=25V  
2900  
930  
260  
13  
4350  
1400  
390  
30  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
oss  
rss  
d(on)  
r
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=30V  
VGS=10V  
ID=45A  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
t
35  
50  
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
t
190  
75  
290  
140  
d(off)  
f
RGS=10 W  
t
Tch=25°C  
Avalanche Capability  
I
L = 100µH  
45  
AV  
SD  
rr  
IF=45A VGS=0V Tch=25°C  
IF=45A VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
t
0,95  
55  
1,43  
V
ns  
µC  
-dI/dt=100A/µs Tch=25°C  
Q
0,10  
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Thermal Resistance  
R
R
channel to case  
channel to ambient  
2,08 °C/W  
th(ch-c)  
th(ch-a)  
125,0 °C/W  
 
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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