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2SK2892-01R

更新时间： 2024-02-08 17:56:59

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富士电机 - FUJI		/
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3页	243K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK2892-01R 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3PF
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	90 A
最大漏源导通电阻：	0.0095 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	360 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2892-01R 数据手册

N-channel MOS-FET

2SK2892-01R

5,5mW

±90A 100W

FAP-IIIB Series

30V

> Features

> Outline Drawing

- High Current

- Low On-Resistance

- No Secondary Breakdown

- Low Driving Power

- Avalanche Rated

> Applications

- Motor Control

- General Purpose Power Amplifier

DC-DC converters

> Maximum Ratings and Characteristics

- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified

Item

Symbol

Rating

Unit

Drain-Source-Voltage

Continous Drain Current

Pulsed Drain Current

±90

±350

±16

D(puls)

Gate-Source-Voltage

Maximum Avalanche Energy

Max. Power Dissipation

Operating and Storage Temperature Range

1728.5

100

mJ*

150

°C

-55 ~ +150

L=0.285mH,Vcc=12V

stg

Electrical Characteristics (T_C=25°C), unless otherwise specified

Item

Symbol

Test conditions

Min.

1,0

Typ.

1,5

Max.

Unit

I_D=1mA

V_DS=30V

V_GS=0V

V_GS=±16V

I_D=50A

V_GS=0V

Drain-Source Breakdown-Voltage

Gate Threshhold Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

DSS

V_DS=V_GS

T_ch=25°C

T_ch=125°C

V_DS=0V

2,0

500

1,0

GS(th)

DSS

0,2

µA

Gate Source Leakage Current

100

9,5

GSS

V_GS=4V

Drain Source On-State Resistance

7,0

DS(on)

I_D=50A

V_GS=10V

V_DS=25V

4,4

5,5

I_D=50A

Forward Transconductance

Input Capacitance

V_DS=25V

3900

2000

850

5850

3000

1280

iss

oss

rss

d(on)

V_GS=0V

f=1MHz

V_CC=15V

V_GS=10V

I_D=100A

R_GS=10 W

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Turn-On-Time t_on(t_on=t_d(on)+t_r)

110

380

270

Turn-Off-Time t_off(t_on=t_d(off)+t_f)

250

180

d(off)

T_ch=25°C

Avalanche Capability

L = 100µH

I_F=50A V_GS=0V T_ch=25°C

I_F=50A V_GS=0V

Diode Forward On-Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

1,0

1,5

µC

-dI/dt=100A/µs T_ch=25°C

0,12

Thermal Characteristics

Item

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Thermal Resistance

channel to case

channel to ambient

1,25 °C/W

30,0 °C/W

th(ch-c)

th(ch-a)

12 3

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