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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2899-01R
2SK2899-01R PDF预览

2SK2899-01R

更新时间： 2024-01-05 01:02:06
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
3页 258K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK2899-01R 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PF
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.011 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2899-01R 数据手册

 浏览型号2SK2899-01R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2899-01R的Datasheet PDF文件第3页 
N-channel MOS-FET  
2SK2899-01R  
6,5mW  
±100A 125W  
FAP-IIIB Series  
60V  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Current  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- Avalanche Rated  
> Applications  
- Motor Control  
- General Purpose Power Amplifier  
DC-DC converters  
-
> Maximum Ratings and Characteristics  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
V
60  
DS  
I
±100  
±400  
±20  
A
D
I
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
V
GS  
Maximum Avalanche Energy  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
E
1268.3  
125  
mJ*  
W
AV  
P
D
T
150  
°C  
°C  
ch  
T
-55 ~ +150  
L=0.169mH,Vcc=24V  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
60  
1,0  
Typ.  
1,5  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
ID=1mA  
VDS=60V  
VGS=0V  
VGS=±20V  
ID=50A  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
BV  
DSS  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
I
2,0  
500  
1,0  
V
GS(th)  
DSS  
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
mW  
mW  
S
Gate Source Leakage Current  
I
100  
11,0  
6,5  
GSS  
VGS=4V  
Drain Source On-State Resistance  
R
7,0  
5,0  
80  
DS(on)  
ID=50A  
VGS=10V  
VDS=25V  
ID=50A  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
g
C
C
C
t
40  
fs  
VDS=25V  
6700 10050  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
oss  
rss  
d(on)  
r
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=30V  
VGS=10V  
ID=100A  
RGS=10 W  
Output Capacitance  
2100  
570  
20  
3150  
860  
30  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
t
160  
410  
330  
300  
620  
500  
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
t
d(off)  
f
t
Tch=25°C  
Avalanche Capability  
I
L = 100µH  
100  
AV  
SD  
rr  
IF=100A VGS=0V Tch=25°C  
IF=50A VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
t
1,0  
85  
1,5  
V
ns  
µC  
-dI/dt=100A/µs Tch=25°C  
Q
0,21  
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Thermal Resistance  
R
R
channel to case  
channel to ambient  
1,0 °C/W  
th(ch-c)  
th(ch-a)  
30,0 °C/W  
 
123

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