5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.14 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK2788VYTL | HITACHI | 2A, 60V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
获取价格 |
|
| 2SK2788VYTL-E | RENESAS | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
获取价格 |
|
| 2SK2788VYTR | RENESAS | 2A, 60V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
获取价格 |
|
| 2SK2788VYTR-E | RENESAS | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
获取价格 |
|
| 2SK2788VYUL | RENESAS | 2A, 60V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
获取价格 |
|
| 2SK2788VYUR | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
获取价格 |
|
AO3401场效应管参数、引脚图、应用原理图
BT131可控硅参数及引脚图、工作原理详解
74LS32芯片参数、引脚图及功能真值表
全球首块英伟达H200交付 黄仁勋“送货上门”
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
