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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.14 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2788VYTL | HITACHI |
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2A, 60V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2788VYTL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2788VYTR | RENESAS |
获取价格 |
2A, 60V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2788VYTR-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2788VYUL | RENESAS |
获取价格 |
2A, 60V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2788VYUR | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2788VYUR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK2789 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATIONS CHOPPER REGULATOR, DC- |
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| 2SK2789(2-10S2B) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 27 A, 100 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10S2B, 3 PIN, |
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| 2SK2789(SM) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,27A I(D),TO-263ABVAR |
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