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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.02 A | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2786-11-D | MITSUBISHI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK2786-T11-E | MITSUBISHI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK2787LS | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220F |
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| 2SK2788 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2788 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2788_11 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2788VY | RENESAS |
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2A, 60V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2788VYTL | HITACHI |
获取价格 |
2A, 60V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2788VYTL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2788VYTR | RENESAS |
获取价格 |
2A, 60V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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