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2SK2730

更新时间: 2024-01-03 18:03:36
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日立 - HITACHI 晶体开关晶体管脉冲电源开关
页数 文件大小 规格书
10页 53K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2730 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-3P包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.32配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):25 A
最大漏极电流 (ID):25 A最大漏源导通电阻:0.24 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):175 W最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

2SK2730 数据手册

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2SK2730  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-493 A (Z)  
2nd. Edition  
September 1997  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
Avalanche ratings  
Outline  
TO–3P  
D
G
1. Gate  
2. Drain  
(Flange)  
3. Source  
1
2
3
S

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