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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.29 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2735L | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2735L | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2735L-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2735S | HITACHI |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2735S | TYSEMI |
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4V gate drive device can be driven from 5V source High speed switching |
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| 2SK2735S | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2735S | KEXIN |
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Silicon N-Channel MOSFET |
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| 2SK2735STL-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2735STR-E | RENESAS |
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Nch Single Power MOSFET 30V 20A 28mohm DPAK(S)/TO-252 |
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| 2SK2736 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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