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2SK2735L

更新时间: 2024-11-02 06:26:07
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瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关
页数 文件大小 规格书
8页 90K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SK2735L 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.29
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.05 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK2735L 数据手册

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2SK2735(L), 2SK2735(S)  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1029-0200  
(Previous: ADE-208-543)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Features  
Low on-resistance  
RDS = 20 mtyp.  
High speed switching  
4 V gate drive device can be driven from 5 V source  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-B  
(Package name: DPAK(L)-(2))  
RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C  
(Package name: DPAK(S))  
4
D
4
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7  

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