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2SK2735(S)

更新时间： 2024-11-14 23:20:39

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	39K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-252VAR

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2SK2735(S) 数据手册

2SK2735(L), 2SK2735(S)

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

ADE-208-543

1st. Edition

Features

•

Low on-resistance

R_DS= 20 mΩ typ.

•

High speed switching

4V gate drive device can be driven from 5V source

Outline

DPAK–2

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2735(S)TL	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SK2735(S)TL	RENESAS	获取价格	20A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2735(S)TR	RENESAS	获取价格	20A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK2735(S)TR	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SK2735L	HITACHI	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2735L	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2735L-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2735S	HITACHI	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK2735S	TYSEMI	获取价格	4V gate drive device can be driven from 5V source High speed switching
2SK2735S	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching